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UCC27714DR
库存: 6056
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UCC27714DR详情
TI UCC27714DR重要属性规格及参数值如下：
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 电源电压 | 10V~18V |
| 峰值灌电流 | 4A |
| 峰值拉电流 | 4A |
| 驱动通道数 | 2 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 上升时间 | 15ns |
| 下降时间 | 15ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
UCC27714DR拓展信息
EN63A0QI
INTEL
SY8082FAC
SILERG
EN2342QI
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EN6337QI
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