注:图像仅供参考,商品以实物为准

CSD88537ND

型号

CSD88537ND

商品类别

场效应管(MOSFET)

封装

SOIC8

交期(工作日)

联系客服

简介

起订量

--最小包装量--

数量:

库存: 16580

请发送询价,我们将立即回复。

*
*
*
*
在线咨询

CSD88537ND详情

TI CSD88537ND重要属性规格及参数值如下:

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)15A
功率(Pd)2.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.4nF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)



索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z